Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Hamısı
  • Hamısı
  • Başlıq
Dil

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

 [Guangdong,China]

Biznes Tipi:Manufacturer , Trade Company

Təsvir:DDR4 8GB yaddaş,DDR4 8GB yaddaş modulu,8GB 2666MHZ 288-PIN DDR4 UDIMM

HomeMəhsullarSənaye Smart Modul AksesuarlarıDDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
  • DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
  • DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
  • DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
  • DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
  • DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri

DDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri

Ödəniş növü:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,CIF,EXW
Min. Sifariş:
1 Piece/Pieces
Nəqliyyat:
Ocean,Land,Air,Express
İndi əlaqə saxlayın
Share:
İndi Chat
  • Məhsul Təsviri
< >
Overview
Məhsul xüsusiyyətləri

Model nömrəsi: NS08GU4E8

Təchizat bacarığı və əlavə məlum...

Nəqliyyat: Ocean,Land,Air,Express

Ödəniş növü: L/C,T/T,D/A

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Qablaşdırma və Çatdırılma
Satış vahidləri:
Piece/Pieces

8GB 2666MHZ 288-PIN DDR4 UDIMM



Titul tarixi

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

Sifariş verilməsi

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS08GU4E8

8GB

2666MHz

1Gx64bit

DDR4 1Gx8 *8



Təsvir
Hengstar, DDR4 SDRAM DIMMS (maneəsiz ikiqat məlumat dərəcəsi sinxron dram ikili in-line yaddaş modulları), DDR4 SDRAM cihazlarından istifadə edən yüksək sürətli işləmə yaddaş modullarıdır. NS08GU4E8, 1G X 64 bitlik bir Rank 8GB DDR4-2666 CL19 1.2V SDRAM, səkkiz 1G x 8-bit FBGA komponentlərinə əsaslanan SDRAM-ı sakitləşdirməmiş dimm məhsuludur. SPD, 19-19-19-cu illərdə Cedec Standard Gecentence DDR4-2666-da proqramlaşdırılmışdır. Hər 288-pin dimm qızıl kontakt barmaqlarından istifadə edir. SDRAM Açılı olmayan Dimm, PC və iş stansiyaları kimi sistemlərdə quraşdırıldıqda əsas yaddaş kimi istifadə üçün nəzərdə tutulmuşdur.

Xüsusiyyətləri
power təchizatı: vdd = 1.2v (1.14v 1,26v)
vddq = 1.2v (1.14v 1,26v)
vpp - 2.5v (2.375v to 2.75v)
vddspd = 2.25v to 3.6v
Məlumat, strobe və maska ​​siqnalları üçün Minal və Dinamik Din-Die-Die-Die-Die-Die
OW-Power Auto Özünü yeniləmək (LPASR)
Data avtobusu üçün data avtobus inversionu (DBI)
on-die vrefdq nəsil və kalibrləmə
on-lövhə i2c seriya mövcudluğu (SPD) EEPROM
16 daxili banklar; Hər biri 4 bankdan ibarət 4 qrup
Fiksed Burst Chop (BC) 4 və partlayış uzunluğu (BL) rejimi rejimi (xanım)
selectived BC4 və ya BL8-də on-the-the-the-the-the-the-the-the-the
Databus Tsiklik Yoxlama Çeki (CRC) yazın
Temperature Nəzarət olunan Yeniləmə (TCR)
mmand / ünvan (ca) pariteti
 SHER DRAM Ünvanı dəstəklənir
8 bit əvvəlcədən alın
fly-by topology
mmand / Ünvan gecikməsi (Cal)
termined nəzarət əmri və ünvan avtobusu
PCB: Boy 1.23 "(31.25mm)
gold kənar kontaktlar
ROHS uyğun və halogensiz


Əsas vaxt parametrləri

MT/s

tCK
(ns)

CAS Latency
(tCK)

tRCD
(ns)

tRP
(ns)

tRAS
(ns)

tRC
(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR4-2666

0.75

19

14.25

14.25

32

46.25

19-19-19

Ünvan cədvəli

Configuration

Number of
bank groups

Bank Group
Address

Bank
Address

Row Address

Column
Address

Page size

8GB(1Rx8)

4

BG0-BG1

BA0-BA1

A0-A15

A0-A9

1 KB



Funksional blok diaqramı

8gb, 1gx64 modulu (1-ci x8)

2-1

Qeyd:
1.Hərhədsiz, rezistor dəyərləri 15ω ± 5% -dir.
2.ZQ rezistorları 240ω ± 1% -dir. Bütün digər rezistor dəyərləri üçün müvafiq tel diaqramına aiddir.
3.Event_n bu dizaynda simlidir. Bağlı bir SPD də istifadə edilə bilər. Heç bir naqil dəyişiklik tələb olunmur.

Mütləq maksimum reytinqlər

Mütləq maksimum DC reytinqi

Symbol

Parameter

Rating

Units

NOTE

VDD

Voltage on VDD pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VDDQ

Voltage on VDDQ pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VPP

Voltage on VPP pin relative to VSS

-0.3 ~ 3.0

V

4

VIN, VOUT

Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3,5

TSTG

Storage Temperature

-55 to +100

°C

1,2

Qeyd:
1. "Mütləq maksimum reytinqlər" altındakı siyahıya alınanlardan daha böyükdür. Cihazın daimi ziyanına səbəb ola bilər.
Bu yalnız bu və ya bu dəqiqləşdirmə əməliyyat bölmələrində göstərilənlərin üstündəki cihazın və ya digər şərtlərin funksional işləməsidir. Uzun müddət üçün mütləq maksimum reytinq şərtlərinə məruz qalma etibarlılığa təsir göstərə bilər.
2.Sterage temperaturu, dramın mərkəzindəki səth temperaturu / dramın üst tərəfindədir. Ölçmə şərtləri üçün Jesd51-2 standartına baxın.
3.Vdd və VDDQ hər zaman bir-birinin 300MV daxilində olmalıdır; və Vrefca, VDD və VDDQ 500 mV-dan az olduqda, Vrefca 0.6 x VDDQ-dən çox olmamalıdır; Vrefca 300 mv-a bərabər və ya az ola bilər.
4.VPP hər zaman VDD / VDDQ-dən bərabər və ya daha çox olmalıdır.
5.Kr4 cihazında 1.5V-dən yuxarı 5.Olowshoot sahəsi göstərilmişdir .

DRAM komponenti işləmə temperaturu aralığı

Symbol

Parameter

Rating

Units

Notes

TOPER

Normal Operating Temperature Range

0 to 85

°C

1,2

Extended Temperature Range

85 to 95

°C

1,3

Qeydlər:
1.Omerating temperaturun topu, dramın mərkəzindəki səth temperaturudur. Ölçmə şərtləri üçün JEDEC sənədinə Jesd51-2-ə baxın.
2. Normal temperatur aralığı bütün dramın spesifikasiyalarının dəstəklənəcəyi temperaturu göstərir. Əməliyyat zamanı bütün əməliyyat şəraitində 0 - 85 ° C arasında dramın temperaturu saxlanılmalıdır.
3.Bəzi tətbiqlər, 85 ° C və 95 ° C arasındakı uzadılmış temperatur aralığında dramın işləməsini tələb edir. Bu diapazonda tam spesifikasiyalara zəmanət verilir, lakin aşağıdakı əlavə şərtlər tətbiq olunur:
a). Yeniləmə əmrləri tezliklə iki dəfə artırılmalıdır, buna görə interval intervalını 3.9 μs-ə qədər azaltmaq lazımdır. Uzadılmış temperatur aralığında 1x yeniləmə (7.8μs-ə qədər) bir komponenti təyin etmək də mümkündür. Seçim mövcudluğu üçün Dimm SPD-yə baxın.
b). Geniş temperatur aralığında özünü yeniləmə əməliyyatı tələb olunarsa, onda ya da geniş temperatur aralığı qabiliyyəti (mr2 a6 = 0b və mr2 a7 = 1b) və ya isteğe bağlı avtomatik özünü yeniləmə ilə istifadə etmək məcburiyyətindədir rejimi (MR2 A6 = 1B və MR2 A7 = 0B).


AC & DC əməliyyat şərtləri

Tövsiyə olunan DC əməliyyat şərtləri

Symbol

Parameter

Rating

Unit

NOTE

Min.

Typ.

Max.

VDD

Supply Voltage

1.14

1.2

1.26

V

1,2,3

VDDQ

Supply Voltage for Output

1.14

1.2

1.26

V

VPP

Supply Voltage for DRAM Activating

2.375

2.5

2.75

V

3

Qeydlər:
1. Bütün şərtlər VDDQ VDD-dən az və ya bərabər olmalıdır.
VDD ilə 2.Vddq parçaları. AC parametrləri VDD və VDDQ ilə birlikdə ölçülür.
3.DC bant genişliyi 20MHz ilə məhdudlaşır.

Modul ölçüləri

Öndən görünüş

2-2

Geri baxış

2-3

Qeydlər:
1.Bütün ölçülər millimetrdədir (düym); Qeyd olunan maksimum / min və ya tipik (tip).
2. Başqa bir şəkildə göstərilmədiyi təqdirdə bütün ölçülərdə ± 0,15 mm-də.
3. Ölçülü diaqram yalnız istinad üçündür.

Məhsullar Kateqoriyalar : Sənaye Smart Modul Aksesuarları

İsti məhsullar
Bu təchizatçıya e-poçt göndərin
  • *Mövzu:
  • *Kənar:
    Mr. Jummary
  • *E-poçt:
  • *Mesaj:
    Mesajınız 20-8000 karakter arasında olmalıdır
Contact Now
HomeMəhsullarSənaye Smart Modul AksesuarlarıDDR4 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
Sorğu göndər
*
*

Ev

Product

Phone

Bizim haqqımızda

Sorğu
Send Message

Məxfilik Bəyanatı: Məxfiliyiniz bizim üçün çox vacibdir. Şirkətimiz şəxsi məlumatlarınızı açıq icazənizlə hər hansı bir genişləndirməyə və ya açıqlamamağı vəd edir.

Sizinlə əlaqə saxlayacağıq

Daha çox məlumat əldə edə bilməsi üçün daha çox məlumatı doldurun

Məxfilik Bəyanatı: Məxfiliyiniz bizim üçün çox vacibdir. Şirkətimiz şəxsi məlumatlarınızı açıq icazənizlə hər hansı bir genişləndirməyə və ya açıqlamamağı vəd edir.

Yükləmə əlavəsi
Göndər