Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeMəhsullarSənaye Smart Modul AksesuarlarıDDR3 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri

DDR3 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri

Ödəniş növü:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Sifariş:
1 Piece/Pieces
Nəqliyyat:
Ocean,Air,Express,Land
  • Məhsul Təsviri
Overview
Məhsul xüsusiyyətləri

Model nömrəsiNSO4GU3AB

Təchizat bacarığı və əlavə məlum...

NəqliyyatOcean,Air,Express,Land

Ödəniş növüL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Qablaşdırma və Çatdırılma
Satış vahidləri:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-PIN DDR3 UDIMM


Titul tarixi

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Sifariş verilməsi

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Təsvir
Hengstar, DDR3 SDRAM DIMMS (maneəsiz ikiqat məlumat dərəcəsi sinxron dram ikili in-line yaddaş modulları), DDR3 SDRAM cihazlarından istifadə edən yüksək sürətli işləmə yaddaş modullarıdır. NS04GU3AB, 512M X 64-də iki dərəcəli 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM, on altı 256 m x 8 bitlik FBA komponentlərinə əsaslanaraq, zəif olmayan dimm məhsuludur. SPD, Jedec Standard Gecentence DDR3-1600-də 11-11-11-ci illərdə 1.5V-də proqramlaşdırılmışdır. Hər 240-pin dimm qızıl kontakt barmaqlarından istifadə edir. SDRAM Açılı olmayan Dimm, PC və iş stansiyaları kimi sistemlərdə quraşdırıldıqda əsas yaddaş kimi istifadə üçün nəzərdə tutulmuşdur.


Xüsusiyyətləri
Güc təchizatı: VDD = 1.5V (1.425V-dən 1.575V)
vddq = 1.5v (1.425V-dən 1.575v)
800MHz FCK 1600MB / saniyə / PİN
8 müstəqil daxili bank
Programmable CAS GATORQ: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Programable aşqar gecikmə: 0, CL - 2, və ya CL - 1 saat
8 bit əvvəlcədən
Burst Uzunluğu: 8 (Yalnız bir məhdudiyyət olmadan, "000" başlanğıc ünvanı olan, 4-cü ilə "000" başlanğıc ünvanı, 4-cü (A12 və ya mrs istifadə edərək reytinqə icazə verməyən TCCD = 4 ilə
Bi yönlü diferensial məlumat strobe
Internal (özünü) kalibrləmə; ZQ Pin vasitəsilə daxili özünü kalibrləmə (RZQ: 240 ohm ± 1%)
 ODT PİN kodundan istifadə edərək xitam
Avverage Yeniləmə Dövrü 7.8US-dan aşağıda 85 ° C, 3.9US 85 ° C-də <95 ° C
Dinkronous Reset
Dustable Data-Çıxış sürücüsü Güc
fly-by topology
PCB: Boy 1.18 "(30 mm)
ROHS uyğun və halogensiz


Əsas vaxt parametrləri

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Ünvan cədvəli

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Pin təsvirləri

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Qeydlər : Aşağıdakı PIN təsviri cədvəli bütün DDR3 modulları üçün bütün mümkün sancaqların hərtərəfli siyahısıdır. Sadalanan bütün sancaqlar ola bilər bu modulda dəstəklənmir. Bu modula xas olan məlumat üçün pin tapşırıqlarına baxın.


Funksional blok diaqramı

4GB, 512MX64 Modul (X8-nin 2Rank)

1


2


Qeyd:
1. Hər bir DDR3 komponentindəki ZQ topu yerə bağlanmış xarici 240ω ± 1% rezistora qoşulmuşdur. Komponentin ölümü və çıxış sürücüsünün kalibrlənməsi üçün istifadə olunur.



Modul ölçüləri


Öndən görünüş

3

Öndən görünüş

4

Qeydlər:
1.Bütün ölçülər millimetrdədir (düym); Qeyd olunan maksimum / min və ya tipik (tip).
2. Başqa bir şəkildə göstərilmədiyi təqdirdə bütün ölçülərdə ± 0,15 mm-də.
3. Ölçülü diaqram yalnız istinad üçündür.

Məhsullar Kateqoriyalar : Sənaye Smart Modul Aksesuarları

Bu təchizatçıya e-poçt göndərin
  • *Mövzu:
  • *Kənar:
    Mr. Jummary
  • *E-poçt:
  • *Mesaj:
    Mesajınız 20-8000 karakter arasında olmalıdır
HomeMəhsullarSənaye Smart Modul AksesuarlarıDDR3 UDIMM Yaddaş Modulu Xüsusiyyətləri
Sorğu göndər
*
*

Ev

Product

Phone

Bizim haqqımızda

Sorğu

Sizinlə əlaqə saxlayacağıq

Daha çox məlumat əldə edə bilməsi üçün daha çox məlumatı doldurun

Məxfilik Bəyanatı: Məxfiliyiniz bizim üçün çox vacibdir. Şirkətimiz şəxsi məlumatlarınızı açıq icazənizlə hər hansı bir genişləndirməyə və ya açıqlamamağı vəd edir.

Göndər